低能电子束光刻的Monte Carlo模仿

　　低能电子束光刻的MonteCarlo模仿°bookmark0肖沛，林季资（江苏科技年夜学张家港校区基本部江苏张家港215600）衬底中的弹性散射和非弹性散射。经由过程统计电子的能量沉积分布，发明低能电子的年夜部分能量沉积在光刻胶中而非衬底所以在电子束光刻中有着更高的效力。并且还获得了在不合的入射电子能量下，光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度。

　　传统的光刻是指用激光把图形刻蚀在半导体材料上的光刻胶内的一门技巧，重要用于半导体器件的制造。因为光的波长限制，光学光刻技巧不实用于年夜范围集成电路的制造。人们认为鄙人一代光亥I技巧中电子束光刻最具有成长前景，游离二氧化硅分析仪是在原红外分光光度计的基础上升级的行业专用产品，高能电子束光刻因为邻近效应112的影响限制了其成长，低能电子束光刻（0.5keV―5keV）成长最具潜力134.在电子束光刻技巧中假如全部用，在1keV的入射能量下，电子的年夜部分能量损掉在了光刻胶内。入射电子能量越年夜，在光刻胶中的损掉能量就越小。

　　计算注解在50nm的光刻胶中，入射能量为1keV的电子损掉了98.5%的能量，5keV的电子只损掉了8.7%.100nm的光刻胶内，iCAN9傅立叶红外光谱仪可广泛用于医药、化工、食品、石化、珠宝等行业，1keV的电子把能量全部损掉在了光刻胶内，5keV的电子为18.4%.我们计算的值年夜小与Peterson的成果1111异常接近。

　　入射电子的能量越高，沉积在光刻胶中能量就越年夜，进而产生化学反响的光刻胶分子就多。如要达到雷同的刻蚀后果，比拟高能量的电子，低能电子光刻须要更少的电子量，解释低能电子更为有效。

　　因低能电子的低穿透性，当光刻胶较厚时，电子可能使光刻胶的底部不克不及完全曝光，是以在低能电子光刻中来肯定光刻胶厚度就是一个很关键的问题。下面用该办法计算出在不合入射电子能量下，光刻胶的最佳厚度。使光刻胶PMMA产生完全50nm时，由最外层等能线对应PMMA的阈值能，可获得曝光的最年夜深度为45nm.入射电子能量3keV，PMMA厚度为300nm时，红外测油仪厂家是一家专业的仪器仪表生产制造商，曝光的最年夜深度为210nm如所示。给出了在不合入射电子能量下所对应的最年夜曝光厚度，它们之间的关系几乎还可以计算各类前提下对刻蚀图形的影响，从而来肯定最佳的实验前提。因应用的模型可以处理二次电子的激发，所以模仿成果更为精确可托。

　　4停止语综上所述，本文模仿电子在光刻胶及衬底内行走的过程中，应用Mott截面和介电函数模型，借助MonteCarlo办法获得了电子在光刻胶内的能量沉积分布，以及在不合入射电子能量下所需的光刻胶最佳厚度。本文上钩算出来的电子沉积能量分布与本文所采取的模仿办法，不仅可以肯定低能电子束光刻技巧曝光前提，还可以供给理论指导。